二进制数据在电路中的存储主要通过存储单元实现，具体分为静态存储单元和动态存储单元两类，其核心原理如下：
一、存储单元分类
静态存储单元（SRAM） 采用触发器（如D触发器、JK触发器）实现数据存储，具有高读写速度和稳定性，但功耗较高，通常用于缓存等场景。
动态存储单元（DRAM）
使用电容存储二进制位，1表示电容充电，0表示放电。由于电容易漏电，需定期刷新数据以保持存储内容，读写速度较快，适合大容量存储。
二、存储过程
数据编码
二进制数据通过逻辑门电路（如与门、或门）转换为电子信号，例如高电平表示1，低电平表示0。
写入操作
- 静态存储： 将编码后的信号输入触发器，通过时钟信号同步触发器状态变化，完成数据存储。 - 动态存储
读取操作 
通过控制单元发出的时钟信号，触发存储单元输出对应二进制位（静态存储直接输出，动态存储需先刷新再读取）。
三、控制机制
控制单元：
由时序电路和状态机组成，负责协调存储单元的读写操作，确保数据按指令顺序处理。- 时钟信号：同步整个存储系统，保证静态存储的稳定性和动态存储的刷新时序。
以上方法共同构成计算机存储系统的核心逻辑，实现二进制数据的有效存储与读取。