二进制数据在芯片中的存储主要通过以下方式实现，结合了电子元件的特性与存储架构：
一、基础存储单元
晶体管与电容组合 - 晶体管：
控制电容器与数据线之间的连接，实现数据的读写操作。 - 电容器：通过充电和放电状态表示二进制数据，电量高（电压高）表示1，电量低（电压低）表示0。
动态存储技术（DRAM） - 采用电容存储数据，因电容漏电需定期刷新以维持数据稳定性，故称为“动态”存储。 - 通过行地址（RAS）、列地址（CAS）和写入使能（WE）信号协同操作，实现数据的快速读写。
二、存储架构与数据组织
二进制编码系统
- 数据转换为二进制代码（0/1序列），每个存储单元对应一个比特位，多个单元组合形成字（如8位、16位等）。 - 例如，8位二进制数`10101110`对应存储单元中的8个比特状态。
随机存取存储器（RAM）
- 临时存储运行中的数据，断电后丢失，适用于缓存和程序运行时数据。 - 通过地址锁存（RAS/CAS）机制快速定位存储单元。
三、数据写入与读取
写入操作
- 确定目标单元地址后，通过控制信号将数据写入对应电容状态，例如高电平写入表示1，低电平写入表示0。 - Flash存储芯片（如ARM内核）采用电荷隧道存储技术，通过编程器或仿真器写入二进制文件。
读取操作
- 通过地址信号读取电容状态，转换为二进制数据输出。例如，读取到的高电平对应1，低电平对应0。
四、其他类型存储
非易失性存储： 如Flash芯片通过电荷保留实现断电不丢失数据，常用于存储程序代码和静态数据。- 磁性存储
以上方式综合了电子特性与逻辑架构，确保了二进制数据的高效存储与可靠读写。